Nummer: 2836900
Land: Germany
Quelle: TED
Laserglühsystem (Laser Annealing System).
Laserglühsystem zur Bildung Ohm"scher Kontakte durch die Metallsinterung auf der Rückseite (C-Seite)der SiC Wafer und für Dotiermittelaktivierung von implantierten Ionen in der Rückseite; Glühen nur auf der Rückseite, keine signifikante Temperaturerhöhung auf der Vorderseite, insbesondere für gedünnte Wafer miteiner Dicke im Bereich von unter 100 μm; Reinraumkompatibel (Reinraumklasse 100); Manuelles Handling von 4"" und 6"" Wafern (optional 8""); UV-Laser (355 nm) mit einer Ausgangsleistung im Bereich von 7-10 W; Pulsweite <60 ns; Galvano Scanner; Computergesteuert: Überwachung von Laserleistung, Strahlprofil, energy at wafer, pulse shape; Prozessatmosphäre N2 oder Ar; kleine Grundfläche, CE Zertifizierung; Vor-Ort-Training.
91058 Erlangen.
Solange ein wirksamer Zuschlag (Vertragsschluss) noch nicht erteilt ist, kann als Rechtsbehelf ein Nachprüfungsantrag bei der unter VI 4.1 genannten Stelle gestellt werden. Bewerber/Bieter müssen Vergaberechtsverstöße unverzüglich bei der unter I 1 genannten Vergabestelle rügen, bevor sie einen Nachprüfungsantrag stellen. Wir weisen ausdrücklich auf die Antragsfrist des §107 Abs. 3 Satz 1 Nr. 4 Gesetz gegen Wettbewerbsbeschränkungen (GWB) hin. Bieter, deren Angebote nicht berücksichtigt werden sollen, werden vor dem Zuschlag gem. §101a GWB informiert.